الذاكرة المغناطيسية تصبح أسهل تصنيعًا

يمكن لتكنولوجيا الكمبيوتر أن تصبح أسرع بكثير، عن طريق استخدام ذاكرة الوصول العشوائي المغناطيسية المقاومة (MRAM)، وهي عبارة عن نظام تخزين للذاكرة سريع وطويل الأجل يستخدم الطاقة بكفاءة، وذلك بفضل التعاون بين جامعة الملك عبد الله للعلوم والتكنولوجيا (KAUST) وجامعة سنغافورة الوطنية (NUS).

في نظام MRAM، تنقلب وحدات البت من المعلومات بتغيير استقطاب أحد الرقاقتين المغناطيسيتين اللتين تفصل بينهما طبقة عازلة رقيقة. وقد تبيّن مؤخرا أن انتقال مدار التفاف عزم التدوير، ونقل الزخم الزاويّ إلى طبقة ممغنطة بسبب تدفق التيار المستقطب بالالتفاف، يتيح التحكم بالمغنطة بواسطة تيار أفقي المستوى.

يجب أن تكون الرقاقات المغناطيسية المستخدمة لدراسة انتقال مدار التفاف عزم التدوير أرقّ من نانومتر واحد لكي تعمل، وكان تحقيق ذلك صعبا. ولكن، في بحث نُشِر في Physical Review Letters، أظهر الفريق أن متعدد الطبقات المغناطيسي المعدّ من الكوبالت والبلاديوم، والذي تبلغ سماكته 20 نانومترا، الأسهل تصنيعا، له خصائص أفضل في انتقال مدار التفاف عزم التدوير، ويمكن أن يستخدم في تكنولوجيا MRAM.

"لن نعود بحاجة إلى انتظار أجهزة الكمبيوتر أو أجهزة الكمبيوتر المحمولة لتصبح جاهزة للعمل"، وفق قول يانغ هيانسو، من جامعة سنغافورة الوطنية، الذي قاد الدراسة. "ستزداد مساحة التخزين، وستُعزّز الذاكرة، لذا لن تكون هناك حاجة للنقر على زر 'الحفظ' بانتظام؛ لأن البيانات الجديدة ستبقى مصونة، حتى في حالة انقطاع التيار الكهربائي".

اشترك للحصول على النشرة الإلكترونية المحدّثة كل أسبوعين لكي تبقى على اطلاع بكافة المستجدات على الموقع.